ПЕРЕЛІК ПОСИЛАНЬ

 

 

Корбутяк Д.В. Телурид кадмію: домішково-дефектні стани та детекторні властивості/ Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук.- К.: Іван Федоров, 2000. -198 с.

Owens A. Compound semiconductor radiation detectors/ A. Owens, A. Peacock // Nucl. Instrum. Methods – 2004. – V. 531. - P.18-37.

Study of Te inclusions in CdMnTe crystals for nuclear detector applications/ O.S. Babalola, A.E. Bolotnikov, M. Groza [et al.] // Journal of Crystal Growth. – 2009. – V.311. – P. 3702–3707.

Mycielski A. Applications of II–VI semimagnetic semiconductors/ A. Mycielski, L. Kowalczyk, R.R. Galazka [et al] // J. Alloy. Comp. – 2006. – V.423. – P.163-168.

Особенности электропроводности монокристаллов Cd1-xZnxTe и Cd1-xMnxTe / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, Е.Л. Маслянчук [та ін.] // ФТП. 2003. - T.37, В.12.- С. 1420-1426.

MOVPE growth of thick CdTe heteroepitaxial layers for X-ray imaging detectors / M. Niraula, K. Yasuda, K. Uchida [et al.] // Phys. Stat. Sol. (c). – 2004.- V.1, №4.- Р. 1075–1078.

Magneto-optical study of interface mixing in the CdTe-(Cd, Mn)Te system / J.A. Gaj, W. Grieshaber, C. Bodin-Deshayes [et al.] // Phys. Rev. B. – 1994. – V. 50 №8. – P.5512-5527.

Magneto-optic study of the interface in semimagnetic semiconductor heterostructures: Intrinsic effect and interface prole in CdTe- Cd1-xMnxTe / W. Grieshaber, A. Haury, J. Cibert [et al.]  // Phys. Rev. B. – 1996. – V. 53, №8. – P.4891-4904.

The spin effect of zinc-blende Cd0.5Mn0.5Te and Zn0.5Mn0.5Te diluted magnetic semiconductors: FP-LAPW study / S.A. Touat, F. Litimein, A. Tadjer [et al.] // Physica B – 2010. – V. 205. – P.625-631.

Mann G.S. Fe1,2Te-MnTe Phase Relationships in the Presense of Excess Iron / G.S. Mann, L.H. Van Vlack // Metall. Trans. B. – 1977. - V.8, №1. – Р. 53-57.

Westrum E.F. Manganese Disulfide (Hauerite) and Manganese Ditelluride. Thermal Properties from 5 to 300 K and Antiferromagnetic Transitions / E.F. Westrum, F. Gronvold.  // J. Chem. Phys. – 1970. – V.59, №7. – Р.3820-3826.

Pajaczkowska A. Physikochemical Properties and crystal Growth of A2B6-MnB6 systems/ A. Pajaczkowska // Prog. Crystal Growth Charact. – 1978. – V.1, №2. – Р.289-325.

Triboulet R. Growth and Characterization of Cd1-xMnxTe Cristals; Contribution to the CdTe-MnTe Pseudobinary Phase Diagram Determination / R. Triboulet, G. Didier // J. Cryst. Growth. – 1981. – V.52, №1. - Р. 614-618.

Один И.Н. Фазовая диаграмма и люминесцентные свойства растворов системы СdTe-MnTe/ И.Н. Один, М.В. Чукичев, М.Э. Рубина // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. – 2003. – Т.39, №4. –С.425-428.

Structural, optical, magnetic and electrical properties of dilute magnetic semiconductor Cd1-xMnxTe / S.A. Gad, M. Boshta, A.M. Moustafa [et al.] // Solid State Sciences. – 2011. –V.13. –P. 23-29.

В.М. Лебедев. Ионно-атомные радиусы и их значения для геохимии и химии/ В.М. Лебедев.- Ленинград: Изд-во Ленинградского университета, 1969. - 156 с.

Cd1-xMnxTe як матеріал для детекторів X та випромінювання / Л.А. Косяченко, І.М. Раренко, В.М.Склярчук [та ін.] // Sensor Electronics and Microsystem Technologies. - 2010. - T.1, №7. - С. 74-80.

Ефимов А.И. Свойства неорганических соединений. Справочник / А.И. Ефимов, Л.П. Белорукова, И.В. Василькова, В.П. Чечев. – Ленинград: Химия, 1983. - 392 с.

Caricato A.P. Pulsed laser deposition of Cd1-xMnxTe thin films/ A.P. Caricato, E.D’Anna, M. Fernandez [et al.] // Thin Solid Films – 2003. – V. 433. – P.45-49.

Miotkowski I. The growth of epitaxial Cd1-xMnxTe films by hot-wall evaporation / I. Miotkowski, S. Miotkowska, T. Warminski [et al.] // Thin Solid Films – 1987. – V. 150. – P.337-345.

 Caraman I. Fundamental absorption edge in thin films of Cd1-xMnxTe solid solutions/ I. Caraman, G.I. Rusu, L. Leontie.  // J Optoelectron. Advan. M. – 2006. – V.8  №3. – P.927-930.

Banerjee P. Optical and electronic properties of nano-Cd1-xMnxTe alloy / P. Banerjee, B. Ghosh // J Phys. Chem. Solids – 2008. – V. 69. – P.2670-2673.

Калинкин И.П. Эпитаксиальные пленки соединений A2B6 / И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский. - Ленинград: Издательство Ленинградского университета, 1978. -311 с.

Вакуумное напыление плёнок в квазизамкнутом объеме/ Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старос [и др.]. – Москва: Советское pадио, 1975. – 60 с.

Вейнберг Ф. Приборы и методы физического металловедения / Ф.Вейнберг.– Москва: Мир, 1973. – 427 с.

Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крёгер. – Москва: Мир, 1969. – 620 с.

Storizhko V.E. The Sumy scanning nuclear microprobe: design features and first tests/ V.E. Storizhko, A.G. Ponomarev, V.A. Rebrov [at al.]  // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. – 2007. –V.260. -P.49-54.

Selected powder diffraction data for education straining (Search manual and data cards). Published by the International Centre for diffraction data. USA. 1988. - Р.432.

Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Получение и измерение рентгенограмм: Справочное руководство / Л.И. Миркин. – Москва: Наука, 1976. – 326 с.

Уманский Я.С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Іванов, Л.Н.Расторгуев. – Москва: Металургия, 1982. – 632 с.

Gnatenko Yu.P. Spectroscopic study of V doped Hg0.018Cd0.981Mn0.001Te bulk crystals as near-infrared materials for optical applications / Yu.P. Gnatenko, P.M. Bukivskij, Yu.P. Piryatinski [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2009. -V.95 P. 112-115.

Gnatenko Yu.P. V-doped CdTe crystals / Yu. P. Gnatenko, M.S. Brodyn, I.O. Faryna [et al.] // Phys. Stat. Sol. (a). – 2007. –V.204. – P. 2431-2434.

Квазіхімічний опис дефектів у телуриді кадмію / В.В. Косяк, А.С.Опанасюк, Н.М. Опанасюк, І.Ю. Проценко // Вісник Сумського державного університету. Серія: Фізика, математика, механіка. – 2004. – №10 (69). – С. 5-15.

Косяк В.В. Ансамбль точкових дефектів у монокристалах CdTe у випадку повної рівноваги та закалювання / В.В. Косяк, А.С. Опанасюк // ФХТТ. – 2005. – Т.6, №3. – C. 461-471.

Шалимова К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – Москва: Энергия, 1976. – 416 с.

Епифанов Г.И. Твердотельная электроника / Г.И. Епифанов, Ю.А.Мома. – Москва: Высшая школа, 1986.– 304 с.

Panchekha P.A. Structure and technology problems of A2B6 semiconductor films/ P.A. Panchekha // Functional materials. – 2000. – V.7, №2. – P. 1-5.

Панчеха П.А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия конденсированных из ионно-молекулярного потока / П.А. Панчеха, О.Г.Алавердова, В.И. Гнидаш // УФЖ. – 2000. – Т.45, №1. – С. 75-80.

Tesma J.R. Handbook of modern ion beam materials analysis / J.R. Tesma, M.Nastasi, J.C. Barbow [et al.]. – Pittsburgh: Materials Research Society, 1995. – 700 p.

Optical characteristics and composition of Сd1–xMnxTe films obtained by the close spaced sublimation technique / V.V. Kosyak, A.S. Opanasyuk, P.V. Koval, P.M. Fochuk, V.V. Starikov // J. Nano- Electron. Phys. – 2011. – V.3, №2. – P.48-58.

Defect-induced optical transitions in CdTe and Cd0,96Zn0,04Te / R. Grill, J.Franc, I. Turkevych [et al.] // Semicond. Sci. Technol. – 2002.– V.17.– P.1282-1287.

Ушаков В.В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке компонентов / В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков // ФТП. – 2007.– Т.41, В.2. – С.140-143.

Compensation of CdTe by doping with gallium / V. Babentsov, V. Corregidor, J.L. Castano [et al.] // Cryst. Res. Technol. – 2001. –V.36, №6.– P. 535-542.

Тарбаев Н.И. Две серии полос «дислокационной» фотолюминесценции в кристаллах теллурида кадмия / Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский // ФТП. – 2006.– Т.40, В.10. – С. 1175-1180.

 Influence of the growth conditions on the photoluminescence spectrum of CdTe polycrystalline films deposited by the close space vapor transport technique / J. Aguilar-Hernandez, G. Contreras-Puente, J. Vidal-Larramendi [et al.] // Thin Solid Films. – 2003.– V.426.– P. 132-134.

Analysis of the 1,55 eV PL band of CdTe polycrystalline films / J. Aguilar-Hernandez, M. Cardenas-Garcia, G. Contreras-Puente [et al.] // Mater. Sci. Engin. – 2003. – V. B102.– P. 203-206.

Defect-induced luminescence in high–resistivity high–purity undoped CdTe crystals / N. Armani, C. Ferrari, G. Salviati [at al.] // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V.14.– P. 13203-13209.

Photoluminescence study of polycrystalline CdS/CdTe thin film solar cells / J.V. Gheluwe, J. Versluys, D. Poelman [et al.] // Thin Solid Films. – 2005. – V.480–481. – P. 264-268.

Okamoto T. Optical and electrical characterizations of highly efficient CdTe thin film solar cells / T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai // Thin Solid Films. –2001.– V.387.– P. 6-10.

Photoluminescence characterisation of ion implanted CdTe / D.P. Holliday, M.D.G. Potter, D.S. Boyle [et al.] // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 2001. – V.668.– P. H1.8.1-H1.8.6.

Photoluminescence of CdTe crystals grown physical vapor transport / W.Palosz, K. Grasza, P.R. Boyd [et al.] // J. Electr. Mat. – 2003.– V.32, №7. – Р.747-751.

Defects in CdTe polycrystalline films grown by physical vapour deposition / V. Corregidor, E. Saucedo, L. Fornaro [et al.] // Mat. Sci. Engin. – 2002.–V.B 91–92. – P. 525-528.

Study of defect levels in CdTe using thermoelectric effect spectroscopy / R. Soundararajan, K.G. Lynn, S. Awadallah [et al.] // J. Electron. Mater. – 2006.- V.35, №6. – Р. 1333-1340.

Бабенцов В.Н. Фотолюминесценция рекристаллизованного наносекундным лазерным облучением теллурида кадмия / В.Н.Бабенцов, Н.И. Тарбаев // ФТП. - 1998.- Т.32, №1.- С. 32-35.

On interaction of hydrogen atoms with complex defects in CdTe and ZnTe / D.I. Tsutsura, D.V. Korbutyak, O.M. Pihur [et al.] // Ukr. J. Phys. – 2007. – V.52, №12. – Р. 1165-1169.

Grill R. Point defects and diffusion in cadmium telluride / R. Grill, A. Zappettini // Progr. Cryst. Growth Character. Mater. – 2004. – V.48. – P.209-244.

Berding M.A. Vacancy formation energies in II–VI semiconductor / M.A.Berding, A. Sher, A.B. Chen // J.Vac. Sci. Technol. –1987.–V.A.5, №5. – Р.3009-3013.

Berding M.A. Defects in ZnTe, CdTe and HgTe: Total energy calculations / M.A. Berding, M. Schilfgaarde, A. Sher // J.Vac. Sci. Technol. – 1990. –V.A8, №2. – Р.1103-1107.

Berding M.A. Native defects in CdTe / M.A. Berding // Phys. Rev. B. – 1999. – V.60, №12. – Р. 8943-8950.

Berding M.A. Annealing conditions for intrinsic CdTe / M.A. Berding // Appl. Phys. Let. – 1999. – V.74, №4. – Р. 552-554.

Wei S.H. First-principles stady of doping limits of CdTe / S.H. Wei, S.B.Zhang // Phys. Status Solidi A. – 2002. – V.229, №1. – P. 305-310.

de Nobel D. Phase equilibria and semiconductors properties of cadmium telluride / D. de Nobel // Phil. Res. Repts.– 1959. –V. 14, № 3. – Р. 430-492.

Chern S.S. The defects structure of CdTe: Hall data / S.S. Chern, H.R.Vydynath, F.A. Kroger // J. Solid State Chem.–1975.–V.14, №1.–Р.33-40.

 Chern S.S. The defects structure of CdTe: Diffusion data / S.S. Chern, H.R.Vydynath, F.A. Kroger // J. Solid State Chem.–1975.–V.14, №1.–Р.40-48.

Fochuk P. High-temperature point defect equilibrium in CdTe modelling / P.Fochuk, O. Korovyanko, O. Panchuk // J. Cryst. Growth. – 1999. – V. 197, №3. – P. 603-606.

 Fochuk P. Experimental identification of the point defects/ P. Fochuk, O. Panchuk // CdTe and related compounds: physics, defects, hetero- and nano-structure, crystal growth, surfaces and applications. [R. Triboulet, P. Siffert]. –Netherlands: Elsevier, 2010. – P. 292-362.

Фізико-хімічні проблеми напівпровідникового матеріалознавства. Том III. Сполуки АIIВVI. Частина І. Кадмій телурид: монографічний збірник / Д.М. Фреїк, М.О. Галущак, В.В. Прокопів, І.В. Горічок [та ін.]. - Івано-Франківськ: Видавництво Івано-Франківського національного технічного університету нафти і газу, 2010. - 394 с.

Термодинамічний n-p-перехід у кристаллах телуриду кадмію / Д.М.Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець [та ін.] // ФХТТ. – 2002.- Т.3, №1. – С. 58-61.

Подвійний термодинамічний n-p-перехід у кристалах телуриду кадмію, легованого хлором / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець [та ін.] // ФХТТ. – 2002. – Т.3, №4. – С. 642-646.

Фреїк Д.М. Модель атомних  дефектів і термодинамічний n-p перехід у легованих золотом кристалах телуриду кадмію CdTe (Cd): Au/ Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець //ФХТТ. – 2003.-Т.4, №3.- С.547-554.

Saraie J. Effect of component element during LPE on electrical properties of CdTe / J. Saraie, M. Kitagava // J. Solid State Chem. – 1979 .– V.126, № 12. – P.2225-2231.

Phase equillibria, defect chemistry and semiconducting properties of CdTe(s) – thermodynamic modelling / Q. Chen, M. Hillert, B. Sundman [et al.] // J. Electr. Mater. – 1998.– V.27, №8.– Р. 961-971.

Smith F.T. Electricaly active point defects in CdTe/ F.T. Smith // J. Metall. Trans. – 1971. – V.1, №3. – Р.617-625.

Wienecke M. Native point defects in CdTe and its stability region/ M. Wienecke, H. Berger, M. Schenk // J. Mater. Sci. Eng.-1993.-V.16.-P. 219-222.

Матвеев О.А. Самокомпенсация в CdTe(Cl) в условиях фазового равновесия кристалл–пар кадмия (теллура) / О.А. Матвеев, А.И. Терентьев // ФТП. – 1998. – Т.32, №2.– С. 159-163.

Defects in CdTe polycrystalline films grown by physical vapour deposition / V. Corregidor, E. Saucedo, L. Fornaro [et al.] // Mat. Sci. Engin. – 2002.–V.B 91–92. – P. 525-528.

Meyer B.K. Native defect identification in II–VI materials / B.K. Meyer, W. Stadler // J. Cryst. Growth. – 1996. – V.161, №4. – P.119-127.

Identification of the cadmium vacancy in CdTe by electron paramagnetic resonance / P. Emanuelsson, P. Omling, B.K. Meyer [et al.] // Phys. Rev. В. – 1993. –V. B47.– P. 15578-15580.