РЕФЕРАТ

 

 

Проміжний звіт про НДР: 84 стор., 30 рис., 6 табл., 78 літературних джерел.

Об’єкт досліджень: процеси структуро- та фазоутворення у тонких і товстих плівках CdTe та Cd1-xMnxTe, одержаних методом квазізамкненого об’єма (КЗО) на неорієнтуючих підклaдкaх і підшарах інших халькогенідів, їх вплив на оптичні, люмінесцентні, електричні  властивості шарів, ансамбль точкових дефектів (ТД) мaтеріaлу.

Предмет досліджень: структурні, оптичні, люмінесцентні, електрофізичні властивості, елементний склад та ансамбль ТД вакуумних конденсатів CdTe та Cd1-xMnxTe, буферних і віконних шарів, створення приладових структур на основі гетеропереходів та структур метал – напівпровідник.

Мета роботи: З’ясування можливості використання товстоплівкових полікристалічних шарів CdTe та Cd1-xMnxTe для детектування жорсткого випромінювання, тонкоплівкових конденсатів для створення адсорбуючих шарів фотодетекторів і сонячних елементів. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик базових шарів на основі CdTe та Cd1-xMnxTe для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки.

У роботі отримані тонкі та товсті плівки CdTe та Cd1-xMnxTe високої структурної якості. Дослідження морфології поверхні плівок, їх фазового складу та структурних особливостей свідчать, що шари отримані в оптимальних фізико-технологічних умовах, завдяки великому розміру зерен, стовбчастій структурі, однофазності, можуть бути з успіхом використані як матеріал поглинаючих шарів детекторів жорсткого випромінювання.

 

СПОЛУКИ А2В6, ТВЕРДІ РОЗЧИНИ, ПЛІВКИ, ДЕТЕКТОРИ, СОНЯЧНІ ЕЛЕМЕНТИ, МЕХАНІЗМИ РОСТУ, СТРУКТУРА, ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, АНСАМБЛЬ ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ, КВАЗІХІМІЧНІ РОЗРАХУНКИ.