ВЫВОДЫ

 

Используя метод ТФП «ab initio»  мы вычислили силы декогезии и смещения нескольких ГЦК-TiN/1 ML-SiN/TiN поверхностей. Укрепление фактором 4-10 описанное в более ранней статье [32] происходит из-за передачи валентного заряда поверхности 1ML- SiN, который усиливает связи Si-N. Колебания Фриделя, которые происходят как следствие электронного волнения системы, приводят к ослаблению связей TiN в пределах плоскостей TiN, прилегающих к поверхности 1 ML-SiN. Это - самые слабые связи, где декогезия и смещение, происходят под приложенной нормальной нагрузкой или нагрузкой смещения.

Несмотря на это ослабление, полное укрепление поверхности обеспечивает ГЦК-TiN/1 ML-SiN/TiN гетероструктура с повышением прочности приблизительно до 35 GPa. В nc-TiN/a-Si3N4 нанокомпозитах с беспорядочно ориентированными нанокристаллами TiN, усреднением Sachs’s, вместе с повышением давления потока нагрузки и отношений Тамбурина (чья законность для этих материалов была проверена) просто объясняют, что прочность сверх 100 GPa может быть достигнута в таком нанокомпозите.

А что касается зонной диаграммы зонной структуры, то даже предложенные обобщения, которые считаются менее непосредственно связанными с простыми параметрами, как температура и давление:

Во-первых, простота подхода к большой картины процессов в микроструктурах, которые могут быть чрезвычайно сложным, может помочь понять, всеобъемлющие тенденции и обеспечение общей идеи для процесса изменений.

Во-вторых, предлагаемое расширение подчеркивает обобщение энергии осей и объектов с использованием первичной плазмы связанных параметрами осаждения.