8.1  Граничні режими транзистора. Робочий діапазон температур

 

                При кімнатній температурі іонізовані всі атоми домішок і невелика частина атомів основної речовини НП (чистого НП). Завдяки цьому в емітерній, колекторній і базовій областях БТ забезпечуються потрібні концентрації основних і неосновних носіїв. З підвищенням температури навколишнього середовища або при нагріванні транзистора струмами зростає число генерованих пар електрон-дірка. Внаслідок зростання концентрації носіїв електропровідність областей приладу збільшується, і його нормальна робота порушується. Практика доводить, що максимальна робоча температура германієвих БТ лежить у межах від +70 до +100С. У кремнієвих транзисторів унаслідок більшої ширини забороненої зони  енергія, необхідна для іонізації атомів основної речовини, виявляється більшою, ніж у германієвих, і тому максимальна робоча температура кремнієвих приладів може становити від +125 до +200 С.

                Мінімальна робоча температура ЕТ визначається енергією іонізації домішкових атомів та їх концентрацією. Звичайно ця енергія невелика (0,05-0,1 еВ), із цієї точки зору БТ може працювати при мінімальній температурі -200С. Але фактична нижня межа температури обмежується термостійкістю корпусу і допустимими змінами параметрів, тому її величина становить, як правило, від –60 до -70С.