10.1.1  Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора

                Фізична еквівалентна схема БТ в ССБ на високих частотах показана на рисунку 10.5. На ній враховано вплив бар’єрної ємності КП  на роботу транзистора. Дифузійна ємність увімкненого в прямому напрямі ЕП не враховується, тому що малий опір , як правило,  в десятки тисяч разів менший за опір КП , і тому опір  шунтує ємність ЕП до дуже високих частот.

Рисунок 10.5 Фізична еквівалентна схема БТ зі спільною базою на високих частотах

 

                Змінна складова струму, створеного джерелом , розгалужується на три гілки: через опір КП , через бар’єрну ємність КП  і через опори  та . Оскільки  великий, то струм через нього незначний. На низьких частотах реактивний опір ємності  також великий, і струм через ємність майже не проходить. Але при збільшенні частоти опір ємності  зменшується, і все більша частка струму від джерела  проходить через ємність. Для зменшення шунтуючої ємності  треба зменшувати опір робочого кола  +, щоб виконувалась умова

+.

У граничному випадку, якщо=0, і тоді

 або .                                          (10.13)

З формули (10.13) бачимо, що чим менший добуток , тим на більш високих частотах може працювати БТ . Тому величина  є важливим частотним параметром транзистора і подається в довідниках.